25新員工OJT培訓考試
1. 您的姓名:
2. 現(xiàn)地-部門-工號:
3. OLED發(fā)光器件的有機材料按功能可以分為幾類
A.3
B.4
C.5
4. 成都G6 生產(chǎn)的OLED器件是
A.頂發(fā)射
B.底發(fā)射
C.透明發(fā)光
5. G6是多大尺寸的基板
A.1500*1900
B.1500*1850
C.2200*2500
6. 成都G6的量產(chǎn)時間
A.2017
B.2018
C.2016
7. HOMO的全稱
A.最低未占軌道
B.最高已占軌道
C.哈莫
8. OLED device的工藝流程是: EVEN
A.正確
B.錯誤
9. OLED產(chǎn)品的評價方法:色域/功耗/壽命/色偏/均一性等
A.正確
B.錯誤
10. TSP 的對應工藝流程是:FMLOC
A.正確
B.錯誤
11. OLED器件的電流方向與電子移動方向相同
A.正確
B.錯誤
12. 頂發(fā)射器件的陰極是反射陰極
A.正確
B.錯誤
13. 啟動調(diào)研過程哪個組織主責?
A.PM
B.市場
C.技術(shù)企劃
14. 什么角色組織立項會議/結(jié)題會
A.技術(shù)企劃
B.PM
C.開發(fā)管理
15. 誰負責進行開發(fā)計劃書/CTR報告的撰寫及流程上報
A.技術(shù)企劃
B.PM
16. 誰負責做預算登錄
A.PM
B.開發(fā)管理
17. 誰負責組織設(shè)計關(guān)聯(lián)檢討
A.開發(fā)擔當
B.PM
C.開發(fā)管理
18. 誰來組織EN總結(jié)會
A.PM
B.技術(shù)企劃
19. 誰負責組織技術(shù)轉(zhuǎn)移會
A.PM
B.技術(shù)企劃
C.PM
20. 誰負責結(jié)題報告和完成報告書撰寫以及冗余處理
A.PM
B.技術(shù)企劃
C.開發(fā)管理
21. DR沒有通過能進行出圖嗎?
A.能
B.不能
22. 技術(shù)開發(fā)C等級項目也需要CTR決策
A.正確
B.錯誤
23. 目前量產(chǎn)用刻蝕型FMM的厚度一般是多少范圍?
A.20~30um
B.50um以上
C.50~100um
D.30~33mm
E.以上均不正確
24. 以下不屬于EV常見不良的是
A.Color mix混色
B.EMP
C.EMD
D.條紋Mura
E.亮線
25. 以下排列中屬于Real RGB排列的有
A.Diamond排列
B.藍鉆(Magic)排列
C.S-RGB&Delta
D.Wind mill風車排布
E.Pearl珍珠排布
26. 以下不屬于目前量產(chǎn)用刻蝕型FMM的形貌特征的是
A.Step/Shadow height
B.Tapper/Profile angle
C.Rib
D.PDL Gap
27. PDL Gap設(shè)定需要考慮的因素有
A.PPA
B.CD (BP&FMM)
C.Shadow
D.Aligner對位
E.溫度影響
28. 蒸鍍用的Source中,相比于點源,線源因工藝溫度高,其蒸鍍的膜厚均一性也高
A.正確
B.錯誤
29. 一般情況下,Open mask在廠內(nèi)進行張網(wǎng)時需要考慮位置精度、尺寸精度、shadow影響等因素;
A.正確
B.錯誤
30. 一般情況下,PDL gap大的產(chǎn)品良率更高,壽命更好,分辨率更高。
A.正確
B.錯誤
31. 已知某手機尺寸6.1inch,pixel pitch為55.2um,分辨率1179*2556,計算其PPI為______
32. 已知Pixel pitch為55.2um,Diamond排列下,RGB的發(fā)光面積分別為274/219/493平方微米,R/G/B的開口率為___ / ___ / ___ ;總開口率為______
33. 產(chǎn)品企劃過程中開發(fā)需要輸出?
A.RFI
B.產(chǎn)品企劃書
C.BOM List
34. 產(chǎn)品開發(fā)成本收益關(guān)注的主要因素?
A.BOM
B.物量
C.良率
D.售價
E.生命周期
35. 項目等級主要從什么維度區(qū)分?
A.客戶
B.成本
C.技術(shù)難度
36. Kick off會議前PM需聯(lián)合各組織擔當重點確認什么?
A.預算
B.技術(shù)方案
C.日程
D.風險點
37. 轉(zhuǎn)MP需要哪些條件滿足?
A.規(guī)格達到
B.Issue改善完成
C.良率達標
D.CAS簽署
38. 產(chǎn)品開發(fā)的目的除了盈利,還有戰(zhàn)略目的
A.正確
B.錯誤
39. 立項會會向廠內(nèi)領(lǐng)導介紹項目的PM
A.正確
B.錯誤
40. PM會直接主導設(shè)計階段的關(guān)聯(lián)檢討會
A.正確
B.錯誤
41. 條件性量產(chǎn)由品質(zhì)DQA發(fā)起
A.正確
B.錯誤
42. 工廠擔當負責組織量產(chǎn)移交會
A.正確
B.錯誤
43. 我司(B7)使用的封裝方式為?
A.Frit封裝
B.TFE封裝
C.UV封裝
44. OLED封裝WVTR理論上要求是?
A. WVTR<10-6 g/m2/d
B. WVTR<10-5 g/m2/d
C. WVTR<10-4 g/m2/d
45. 目前BOE使用的WVTR測試方式是?
A.傳感器檢測法
B.稱重法
C.鈣膜腐蝕法
46. 環(huán)境信賴性中判斷封裝失效的不良現(xiàn)象是?
A.GDS
B.Mura
C.X-Line
47. 無機層阻水性能最好的成膜工藝是?
A.CVD
B.PVD
C.ALD
48. 封裝是為了保護TFT驅(qū)動電路
A.正確
B.錯誤
49. 柔性O(shè)LED可以使用Frit封裝
A.正確
B.錯誤
50. TFE封裝可對應彎折和折疊產(chǎn)品
A.正確
B.錯誤
51. BOE 常用的TFE為3膜層結(jié)構(gòu),分別是有機層-無機層-有機層
A.正確
B.錯誤
52. BOE 采用的TFE 無機層工藝為CVD,有機層工藝為IJP
A.正確
B.錯誤
53. OLED像素電路靠()驅(qū)動。
A.電流
B.電壓
C.電容
54. Gamma tuning的目的是()
A.為了實現(xiàn)高亮度
B.為了實現(xiàn)高色域
C.為了讓顯示亮度和色度符合人眼的主觀感知
55. Demura的目的是()
A.為了實現(xiàn)產(chǎn)品的超高亮度
B.為了消除由工藝/設(shè)計等非均勻性引起Mura現(xiàn)象
56. 在相同的設(shè)計下()樣的產(chǎn)品更容易引起mura
A.高PPI
B.低PPI
C.低頻率
57. OLED器件的壽命降低,是由()引起的
A.EL材料發(fā)光效率隨時間衰減
B.TFT效率
58. OLED 產(chǎn)品是需要片調(diào)Gamma()
A.正確
B.錯誤
59. 將AI技術(shù)引入Gamma的目的是,為了讓Gamma調(diào)節(jié)的更準確()
A.正確
B.錯誤
60. EL 發(fā)光效率的衰減會導致串擾現(xiàn)象()
A.正確
B.錯誤
61. 為了讓算法更易調(diào)試,需要針對算法制作GUI()
A.正確
B.錯誤
62. AI技術(shù)是不可以與算法調(diào)試相結(jié)合在一起的()
A.正確
B.錯誤
63. DDIC一般對圖像數(shù)據(jù)進行( )壓縮
A.1/2
B.1/3
C.1/4
64. DIC的那個模塊提供像素電路所需要的data數(shù)據(jù)?( )
A.SPR
B.source Driver
C.Sharpness Enhancement
65. Mobile傳輸圖片常用的通信協(xié)議是?( )
A.Edp
B.SPI
C.MIPI
66. 調(diào)整DBV的常用寄存器是?( )
A.11
B.29
C.51
67. Interface的縮寫是( )
A.IF
B.SPR
C.BC
68. Contrast enhancement 可以使圖片呈現(xiàn)更多細節(jié)信息
A.正確
B.錯誤
69. 若主機發(fā)送原始圖片數(shù)據(jù),未進行壓縮處理,DIC可以進行壓縮處理
A.正確
B.錯誤
70. 主機發(fā)送原始圖片數(shù)據(jù),經(jīng)過DIC內(nèi)部IP處理及source driver后,以同樣的數(shù)據(jù)格式送至PNL
A.正確
B.錯誤
71. DIC可提供面板上GOA電路工作所需的電壓
A.正確
B.錯誤
72. DBV曲線必須滿足Gamma 2.2曲線
A.正確
B.錯誤
73. 某款手機屏幕分辨率(長X寬)為2240 X 1440,沿寬方向掃描,刷新率為60HZ,不考慮V-Blank數(shù)量情況下,請問對應掃描一行的時間是 ( )
A.5.6 us
B.7.4 us
C.11.2 us
D.11.6us
74. 某款產(chǎn)品屏幕像素尺寸設(shè)計為63um,求此屏幕PPI ( )
A.403
B.326
C.159
D.390
75. 某公司生成一款柔性O(shè)LED屏幕,測試發(fā)現(xiàn)其L255亮度可達800 nit,L254亮度達360 nit,L1亮度為0.008 nit,L0亮度為0.004 nit,故此產(chǎn)品的CR=( )
A.40000
B.200000
C.100000
D.70000
76. Mux電路的作用是( )
A.檢測Cell是否顯示正常
B.將Source信號分為多路的電路單元,可以成倍減少Source數(shù)量
C.移位寄存電路
D.用于釋放靜電
77. 對比度的縮寫是 ( )
A.CB
B.LRU
C.CR
78. Notch區(qū)設(shè)計一般在Panel的( )
A.左邊框
B.右邊框
C.上邊框
D.下邊框
79. 下列哪些是Panel中的常見電路單元?
A.pixel
B.GOA
C.Cell Test
D.IC
80. 一般柔性產(chǎn)品上邊框設(shè)計中常包括 ( )
A.GOA電路
B.陰極搭接區(qū)
C.Dam
D.Crack Dam
E.COF/COP Bonding區(qū)
81. ESD防護電路原理是當高低電壓進入時,通過反向擊穿防護TFT,以實現(xiàn)ESD釋放的。
A.正確
B.錯誤
82. 現(xiàn)在常用的 7T1C LTPS電路,沒有 T7 也可以正常驅(qū)動
A.正確
B.錯誤
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