營(yíng)銷人員產(chǎn)品培訓(xùn)考試(2025年)
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1、TGV可實(shí)現(xiàn)的最小粗糙Ra約是?
A、38nm
B、40μm
C、10μm
D、10nm
2、FLEE技術(shù)不能加工的材料?
A、石英
B、BF33
C、AF32
D、陶瓷
3、Panel級(jí)TGV標(biāo)稱加工孔位置精度是?
A、1μm
B、3μm
C、5μm
D、7μm
4、FLEE技術(shù)2025年新一代的激光光源類型是?
A、紫外納秒
B、紫外飛秒
C、紅外飛秒
D、綠光飛秒
5、TGV加工設(shè)備標(biāo)配的功能是?
A、脈沖能量檢測(cè)
B、動(dòng)態(tài)調(diào)焦
C、脈沖計(jì)數(shù)
D、功率點(diǎn)檢
6、Mini LED全自動(dòng)激光七個(gè)設(shè)備型號(hào)是?
A、TDC-V2061A
B、MC-3060A
C、DSI-9200
D、XC7000
E、SFC-V2061A
7、TDCV2061A多焦機(jī)型硬件選配項(xiàng)沒有的是?
A、AGV
B、同軸模塊
C、四模激光器
D、多焦切換模塊
E、激光對(duì)焦模塊
8、劃片軟件的最新升級(jí)不包括?
A、步距測(cè)量
B、建檔指引
C、改檔直接生效
D、保留了上下料控制屏
E、自動(dòng)旋轉(zhuǎn)中心
9、切割硅片使用的是哪款刀片?
A、軟刀
B、硬刀
C、樹脂刀
D、金屬刀
10、刀輪機(jī)的BBD的作用?
A、測(cè)量刀片長(zhǎng)度
B、測(cè)量刀片寬度
C、測(cè)量刀片破損
D、測(cè)量刀片磨損
11、刀輪機(jī)主軸的構(gòu)成?
A、機(jī)械主軸
B、氣浮主軸
C、絲桿主軸
D、皮帶主軸
12、以下表述不屬于刀輪機(jī)切割工藝?
A、表邊
B、表面燒灼
C、背崩
D、隱裂
13、TDCV2061A多焦機(jī)型激光器類型?
A、GS
B、光源
C、UF
D、SCRAL
E、HYCEAN
14、曝光機(jī)的光源平行半角是多少度?
A、3°
B、6°
C、4°
D、10°
15、全自動(dòng)雙面對(duì)準(zhǔn)單面曝光機(jī)正對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)精度是多少?
A、±1Um
B、±0.5Um
C、±3Um
D、±5Um
16、曝光機(jī)預(yù)對(duì)準(zhǔn)精度是多少?
A、±100Um
B、±80Um
C、±160Um
D、±140Um
17、MicroLED的芯片尺寸通常?
A、<100
B、<200
C、<250
D<300
18、MicroLED大面積小芯片鍵合的時(shí)候,哪項(xiàng)是當(dāng)前主要的問題
A、載臺(tái)平面度
B、加工效率
C、熱失配
D、自動(dòng)化
19、以下那個(gè)方法并不是用來(lái)解決芯片波長(zhǎng)一致性的問題
A、上游Wafer制作技術(shù)改進(jìn)
B、分BIN
C、混BIN
D、提高精度
20、當(dāng)MicroLED背板上的不良只剩下幾十顆甚至十幾顆的時(shí)候,用以下哪個(gè)設(shè)備修復(fù)合適
A、激光剝離設(shè)備
B、巨量轉(zhuǎn)移
C、單點(diǎn)轉(zhuǎn)移焊接一體機(jī)
D、激光去除修復(fù)設(shè)備
21、下面不是晶圓級(jí)分選編帶機(jī)的上料有哪些?
A、載帶
B、蓋膜
C、晶圓片
D、華夫盒
22、我司晶圓級(jí)分選編帶機(jī)的UPH最高可達(dá)?
A、30K
B、50K
C、40K
D、60K
23、我司目前的平移分選設(shè)備目前沒有的類型?
A、Wafer to Tray
B、Wafer to Wafer
C、Tray To Tray
D、Reel To Tray
24、我司轉(zhuǎn)塔式的分選機(jī)目前沒有的類型?
A、Wafer to Tray
B、Wafer to Wafer
C、Tray To Tray
D、 Tray To Reel
25、客戶的來(lái)料8寸鐵環(huán)下料是子母環(huán),DIE尺寸20mm且很薄對(duì)產(chǎn)能無(wú)要求可以選用?
A、平移式Wafer to Wafer分選機(jī)
A、平移式Wafer to Tray分選機(jī)
C、轉(zhuǎn)塔式Wafer to Wafer分選機(jī)
D、 晶圓級(jí)分選編帶機(jī)
26、以下哪項(xiàng)是激光開槽沒有用到的激光器類型?
A、紫外納秒
B、紫外皮秒
C、綠光皮秒
D、紅外皮秒
27、以下哪項(xiàng)是全自動(dòng)激光開槽機(jī)GV-N3232系列機(jī)型沒有配備的功能?
A、保護(hù)液余量自動(dòng)檢測(cè)
B、下光源尋edge
C、自動(dòng)清洗
D、膜厚自動(dòng)檢測(cè)
28、以下哪項(xiàng)不屬于開槽機(jī)正常加工的材質(zhì)?
A、硅
B、金屬
C、low-k
D、陶瓷
29、紫外激光器的波長(zhǎng)是多少?
A、532nm
B、1064nm
C、355nm
D、1030nm
30、ID打標(biāo)機(jī)不含OCR的UPH是多少?
A、100
B、120
C、150
D、180
31、我司標(biāo)準(zhǔn)ID打標(biāo)機(jī)的精度是多少um?
A、±100
B、±120
C、±75
D、±150
32、我司IC打標(biāo)設(shè)備基板、L/F框架與單顆Tray、Boat設(shè)備打印位置精度是多少?
A、±50um,±100um
B、±75um,±100um
C、±100um,±100um
D、±75um,±50um
33、IC Mark設(shè)備印后檢使用相機(jī)類型是?
A、4K線陣相機(jī)
B、8K面陣相機(jī)
C、8K線陣相機(jī)
D、16K線陣相機(jī)
34、LM-N5301B/G打標(biāo)設(shè)備最大兼容產(chǎn)品長(zhǎng)邊翹曲能力是多少?
A、≤3mm
B、≤5mm
C、≤7mm
D、≤10mm
35、IC打標(biāo)設(shè)備沒有用到的激光器波長(zhǎng)類型是哪個(gè)?
A、355nm
A、532nm
C、1064nm
D、10.6um
36、激光解鍵合設(shè)備采用的激光器及波長(zhǎng)是?
A、固體紫外
B、固體綠光
C、光纖紅外
D、固體紅外
37、激光解鍵合設(shè)備激光與膠材之間發(fā)生的反應(yīng)是?
A、光化學(xué)反應(yīng)
B、光熱反應(yīng)
C、熱反應(yīng)
D、汽化反應(yīng)
38、激光解鍵合之后的晶圓清洗不含哪一項(xiàng)?
A、去離子水洗
B、濕法藥液清洗
C、干法等離子清洗
D、濕法刷洗
39、激光環(huán)切設(shè)備功能不包含哪一項(xiàng)?
A、晶圓環(huán)切
B、Notch切割
C、去離子水洗
B、濕法藥液清洗
40、激光環(huán)切設(shè)備當(dāng)前主要采用的是()激光器?
A、紫外納秒
B、綠光納秒
C、紫外皮秒
D、紅外皮秒
41、大族半導(dǎo)體隱切部門只要面向哪些半導(dǎo)體材料的切割工藝?
A、SiC、GaN、金剛石、Si
B、GaAs、InP
C、LT、LN
D、以上都是
42、大族半導(dǎo)體SiC晶圓激光退火主要原理是什么?
A、使背金氣化
B、加熱SiC襯底
C、使背面金屬與SiC襯底發(fā)生合金化反應(yīng),形成歐姆接觸
D、加熱正面外延層
43、目前大族半導(dǎo)體SiC切割方案最新推出的工藝方案是什么?
A、隱切+裂片工藝方案
B、表切+隱切+裂片工藝方案
C、表切+刀輪工藝方案
D、Di-Sync工藝方案
44、SDBG激光隱形切割機(jī)主要應(yīng)用于哪個(gè)領(lǐng)域?
A、LED行業(yè)
B、存儲(chǔ)器行業(yè)
C、功率器件
D、聲學(xué)傳感器
45、DA100軟硬件配置最高的版本的是?
A、DA100 SE(LED)
B、DA100 PLUS(半導(dǎo)體)
C、DA100 PRO(分立器件)
46、DA100-A5 SE適用行業(yè)有哪些?
A、LED
B、半導(dǎo)體
C、分立器件
47、DA100正背切功能精度可達(dá)多少?
A、4um
B、1um
C、2um
48、DA100可加工最大尺寸是多少?
A、6寸
B、8寸
C、12寸
49、占地面積最小機(jī)型是?
A、DA100-A7 PLUS(大族12寸)
B、DFL161(DISCO 12寸)
C、L1205DICINGUVP(ASM 12寸)
50、全切工藝劣勢(shì)(相對(duì)隱切及等離子)是什么?
A、碎屑較多
A、可加工金屬
C、可切割膜類
B、性價(jià)比更高
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